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MOSFET di potenza DHS022N06 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 60 V DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Scheda Tecnica+V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 300 A 100 V PACCHETTO PEDAGGIO DSU021N10NA DSU021N10NA PEDAGGIO 100 V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200 V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Dispositivo DH060N03R Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS130N06D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 120 A 70 V DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Scheda dati+V3.0 (1).pdf
Diodo barriera Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 V 40A Specifiche del dispositivo DCCT40D120G4.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 4,8 A 650 V DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 2 A 650 V B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 40 V DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 V 60A Specifiche del dispositivo DH065N04P.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Specifiche del dispositivo DCGT15D120G4.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650 V 30A Specifiche del dispositivo DCE30D65G4.pdf
-50A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Dispositivo+DH300P06L+Specifica+Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N DCC650M170G1 TO-247 da 7,0 A 1700 V DCC650M170G1 TO-247 1700 V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
Modalità di potenziamento a canale N MOSFET di potenza 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U PEDAGGIO 100 V 180A Dispositivo+DHS025N10U+Specifica+V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 140 A 85 V DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
IPM a mezzo ponte 500 V/4 A DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 40 V PACCHETTO DH045N04P DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Specifiche del dispositivo DH045N04P(1).pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180A Dispositivo DHS020N04 Specifiche.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D

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