MOSFET de potencia de unión estupenda de canal N de 7.6A 650V DHFSJ8N65 TO-220F

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 7,6 A y 650 V

1 Descripción

Estos VDMOSFET mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño avanzados de súper unión para proporcionar un Rdson excelente con carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

 2 características 

● Cambio rápido

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Corrección del factor de potencia (PFC).

● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

● Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS).

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	0,48Ω	7.6A