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7.6a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwenden fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Entechnik, um einen hervorragenden RDSON mit niedriger Gate-Ladung zu bieten. Das entspricht dem ROHS -Standard.
 
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7.6a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwenden fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Entechnik, um einen hervorragenden RDSON mit niedriger Gate-Ladung zu bieten. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


 2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

● STWANTEDED MODE NETZUNGEN (SMPS).

● Unterbrechungsfreies Stromversorgung (UPS).


VDSS RDS (ON) （Typ) AUSWEIS
650 V 0,48 Ω 7.6a



herunterladen Donghai_dhfsj8n65_datesheet_v1.0.pdf

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