7,6 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

7,6 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um exzellenten Rdson mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

 2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

● Schaltnetzteile (SMPS).

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV).

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
650V	0,48 Ω	7,6A