πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Βρίσκεστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » Μοσχάρι » 400V-1500V N MOS » 7.6A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

φόρτωση

Μοιραστείτε:
κουμπί κοινής χρήσης στο Facebook
κουμπί κοινής χρήσης Twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης WeChat
κουμπί κοινής χρήσης LinkedIn
κουμπί κοινής χρήσης Pinterest
κουμπί κοινής χρήσης WhatsApp
Κουμπί κοινής χρήσης Sharethis

7.6A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

Αυτά τα N-Channel Enhanced VDMOSFETs, χρησιμοποιούν την προηγμένη τεχνολογία και το σχεδιασμό Super Junction για να παρέχουν εξαιρετική RDSON με χαμηλή φόρτιση πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
 
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

7.6A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET


1 περιγραφή

Αυτά τα N-Channel Enhanced VDMOSFETs, χρησιμοποιούν την προηγμένη τεχνολογία και το σχεδιασμό Super Junction για να παρέχουν εξαιρετική RDSON με χαμηλή φόρτιση πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 


 2 χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή

● Χαμηλή αντίσταση

● Χαμηλή φόρτιση πύλης

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche

● δοκιμή 100% ΔVDS 


3 αιτήσεις 

● Διόρθωση συντελεστή ισχύος (PFC).

● Προμήθειες τροφοδοσίας μεταγωγής (SMPS).

● Ανεξάρτητη τροφοδοσία ρεύματος (UPS).


VDSS RDS (ON) (τύπος) ταυτότητα
650V 0,48Ω 7.6α



Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε στο ενημερωτικό δελτίο μας
  • Ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε για το ενημερωτικό δελτίο μας για να λάβετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας