未命名 (1) (8) (1)
kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 7.6a 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

7.6a 650 V N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek fejlett Super Junction technológiát és dizájnt használnak, hogy kiváló RDSON-t biztosítsanak alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
 
Elérhetőség:
Mennyiség:
Érdeklődik Adja hozzá a kosárhoz

7.6a 650 V N-csatornás Super Junction Power MOSFET


1 Leírás

Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek fejlett Super Junction technológiát és dizájnt használnak, hogy kiváló RDSON-t biztosítsanak alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 


 2 Jellemzők 

● Gyors váltás

● Alacsony az ellenállás

● Alacsony kapu töltés

● Alacsony fordított transzfer kapacitás

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt 


3 alkalmazás 

● Teljesítménytényező korrekció (PFC).

● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMP).

● Szünetmentes tápegység (UPS).


VDSS Rds (on) （typ) Személyazonosság
650 V -os 0,48Ω 7.6a



letöltés DONGHAI_DHFSJ8N65_DATESHEET_V1.0.PDF

Előző: 
Következő: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába
    Benyújt
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology készítette Leadong.com