7,6 A 650 V, N-csatornás Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

7.6A 650V N-csatornás Super Junction Power MOSFET

1 Leírás

Ezek az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-ek fejlett szuper junction technológiát és kialakítást használnak, hogy kiváló Rdson-t biztosítsanak alacsony kaputöltés mellett. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 

 2 Jellemzők 

● Gyors váltás

● Alacsony ellenállás

● Alacsony kaputöltés

● Alacsony fordított átviteli kapacitás

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt 

3 Alkalmazások 

● Teljesítménytényező korrekció (PFC).

● Kapcsolt üzemmódú tápegységek (SMPS).

● Szünetmentes tápegység (UPS).

VDSS	RDS (bekapcsolva) (TYP)	ID
650V	0,48Ω	7.6A