7,6 A 650 В N-канальний MOSFET Super Junction Power
1 Опис
Ці вдосконалені N-канальні VDMOSFET використовують передову технологію суперпереходу та дизайн, щоб забезпечити чудовий Rdson із низьким зарядом затвора. Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір
● Низький заряд затвора
● Низькі ємності зворотного перенесення
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Корекція коефіцієнта потужності (PFC).
● Імпульсні джерела живлення (SMPS).
● Джерело безперебійного живлення (UPS).
| VDSS |
RDS (увімкнено) (TYP) |
ID |
| 650В |
0,48 Ом |
7,6А |