7.6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET
1 คำอธิบาย
VDMOSFET ที่ปรับปรุงแล้วแบบ N-channel เหล่านี้ใช้เทคโนโลยีและการออกแบบ super Junction ขั้นสูงเพื่อให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมพร้อมประจุเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
2 คุณสมบัติ
● การสลับอย่างรวดเร็ว
● ความต้านทานต่ำ
● ค่าเกตต่ำ
● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%
● การทดสอบ ΔVDS 100%
3 การใช้งาน
● การแก้ไขตัวประกอบกำลัง (PFC)
● แหล่งจ่ายไฟโหมดสวิตช์ (SMPS)
● เครื่องสำรองไฟฟ้า (ยูพีเอส)
| วีดีเอสเอส |
RDS (เปิด) (ประเภท) |
บัตรประจำตัวประชาชน |
| 650V |
0.48Ω |
7.6A |