未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом »» Продукция » МОСФЕТ » 12 В-300В N MOS » 180a 40 В n-канальный режим улучшения мощности Mosfet dtg018n04n to-220c

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

180a 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DTG018N04N TO-220C

В этом n-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии траншеи, обеспечивая отличную зарядку RDSON и низкий затвор. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:
Запросить Добавить в корзину

180a 40 В n-канальный режим улучшения режима мощности


1 Описание 

В этом n-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии траншеи, обеспечивая отличную зарядку RDSON и низкий затвор. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

● Быстрое переключение 

● Низкое сопротивление 

● Зарядки с низким затвором 

● 100% ΔVDS TES 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 


3 приложения 

● управление двигателем и привод 

● Управление аккумуляторами 

● UPS (непрерывные источники питания)


VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР
40 В 1,5 МОм 180a


Предыдущий: 
Следующий: 
МОСФЕТ
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com