未命名 (1) (8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici Acasă » Produse » MOSFET » 12V-300V N MOS » :

încărcare

Distribuie la:
Buton de partajare Facebook
Buton de partajare pe Twitter
Buton de partajare a liniei
Buton de partajare WeChat
Butonul de partajare LinkedIn
Butonul de partajare Pinterest
Butonul de partajare WhatsApp
Buton de partajare Sharethis

Modul de îmbunătățire a canalelor N-canal 180A 40V MOSFET DTG018N04N TO-220C

Această putere de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri a utilizat designul avansat al tehnologiei șanțului, a furnizat RDSON excelent și încărcare joasă de poartă. Care este în conformitate cu standardul ROHS.
Disponibilitate:
cantitate:
Întreba Adăugați la coș

MODFET Mod de îmbunătățire a canalelor de 180A 40V 40V


1 Descriere 

Această putere de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri a utilizat designul avansat al tehnologiei șanțului, a furnizat RDSON excelent și încărcare joasă de poartă. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 


2 caracteristici 

● comutare rapidă 

● Rezistență scăzută 

● Încărcare scăzută a porții 

● 100% ΔVDS TES 

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă 


3 aplicații 

● Controlul și conducerea motorului 

● Gestionarea bateriei 

● UPS (surse de alimentare neinterrupibile)


VDSS RDS (ON) (TIP) Id
40V 1,5mΩ 180a


Anterior: 
Următorul: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți -vă la newsletter -ul nostru
  • Pregătește -te pentru viitorul
    înregistrare pentru newsletter -ul nostru pentru a primi actualizări direct la căsuța de e -mail
    Depune
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com