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180A 40V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DTG018N04N TO-220C

In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit fortschrittlicher Grabentechnologie ein ausgezeichnetes RDSON- und niedriger Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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180a 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit fortschrittlicher Grabentechnologie ein ausgezeichnetes RDSON- und niedriger Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● 100% ΔVDS TEs 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 1,5 mΩ 180a


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