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180 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DTG018N04N bis 220 °C

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzen ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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180 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzen ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● 100 % ΔVDS-Tests 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
40V 1,5 mΩ 180A


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