180A 40V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açık
Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Düşük direnç
● Düşük kapı ücreti
● %100 ΔVDS testleri
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
3 Uygulama
● Motor kontrolü ve sürücü
● Pil yönetimi
● UPS (Kesintisiz Güç Kaynakları)
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| 40V |
1,5 mΩ |
180A |