Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
DTG018N04N
WXDH
220c TO
40V
180a
180A 40V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
●% 100 ΔVDS TES
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
3 Uygulama
● Motor kontrolü ve sürüşü
● Pil yönetimi
● UPS (Müziksiz Güç Kaynakları)
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
40V | 1.5mΩ | 180a |
180A 40V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
●% 100 ΔVDS TES
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
3 Uygulama
● Motor kontrolü ve sürüşü
● Pil yönetimi
● UPS (Müziksiz Güç Kaynakları)
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
40V | 1.5mΩ | 180a |