180A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTG018N04N -220C

180A 40V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus 

Näissä N-kanavan tehostustilan tehomosfeteissa käytettiin edistynyttä kaivaustekniikkaa, mikä tarjosi erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● 100 % ΔVDS tes 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

3 Sovellukset 

● Moottorin ohjaus ja käyttö 

● Akun hallinta 

● UPS (Uninterruptible Power Supplies)

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
40V	1,5 mΩ	180A