N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 120A 98V

1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 

2 funktioner 

● Snabbbrytning 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift

● Hög lavinström 

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 

3 applikationer 

● Synkron rättelse i SMPS 

● Hård växling och höghastighetskrets 

● Strömverktyg 

● UPS 

● Motorstyrning