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N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C

N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 120A 98V
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N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 120A 98V


1 Beschreibung 


Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf 

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
98 V 5.1mΩ 120a


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