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Módulo IGBT de medio puente 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

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Modelo:
DGA75H120M2T
Marca:
WXDH
Paquete:
34mm
Ficha de datos:
DGA75H120M2T.pdf
V:
1200V
A:
75A

Descripción del Producto

75A 1200V Módulo de medio puente

1 Descripción

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente V CEsat y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo

● Tensión de baja saturación: V CE(sat) , típ. = 2,0 V @ I C = 75 A y T j = 25 °C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 plicacionesA

 Soldadura

 UPS

 Inversor de tres niveles

 Amplificador de servoaccionamiento de CA y CC

Tipo	VCE	ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paquete
DGA75H120M2T	1200V	75A (Tj=100℃)	2,0 V (típico)	175℃	34MM

Módulo IGBT

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