75A 1200V Half Bridge IGBT Módulo DGA75H120M2T 34 mm

75A Módulo de medio puente de 1200V de 1200V

1 descripción 

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron un diseño de tecnología avanzada de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente velocidad V CESAT y conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 

2 características 

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva 

● Bajo voltaje de saturación: V CE (SAT) , Typ = 2.0V @ I C = 75a y T J = 25 ° C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada 

3 A PPLIC ATIONS 

 Soldadura 

 UPS 

 Inverter de tres partidos 

 Amplificador de accionamiento de servo de CA y DC