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75A 1200VハーフブリッジIGBTモジュールDGA75H120M2T 34mm

これらの絶縁ゲート双極トランジスタは、高度なトレンチとフィールドストップテクノロジーの設計を使用し、優れたVCESATとスイッチング速度、低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。
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  • DGA75H120M2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA75H120M2T.PDF

  • 1200V

  • 75a

75A 1200V ハーフブリッジモジュール

1説明 

これらの絶縁ゲート双極トランジスタは、高度なトレンチとフィールドストップテクノロジーの設計を使用し、優れたV CESAT とスイッチング速度、低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。 

2つの機能 

●FSトレンチテクノロジー、正の温度係数 

●低飽和電圧：V ce（sat） 、typ = 2.0v @ i c = 75a、t j = 25°C 

●非常に強化された雪崩機能 

3 pplic ations 

溶接 

UPS ​ 

3 レベルインバーター 

AC およびDCサーボドライブアンプ


タイプ vce IC VCESAT、TJ = 25℃ tjop パッケージ
DGA75H120M2T 1200V 75a（TJ = 100℃） 2.0V（タイプ） 175℃ 34mm


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