75A 1200V Polovičný mostík IGBT modul DGA75H120M2T 34mm

75A 1200V Modul polovičného mostíka

1 Popis 

Tieto bipolárne tranzistory s izolovanou bránou využívali pokročilý dizajn výkopu a technológie Fieldstop, poskytovali vynikajúcu V CEsat a rýchlosť spínania, nízke nabíjanie brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● FS Trench Technology, Kladný teplotný koeficient 

● Nízke saturačné napätie: V CE(sat) , typ = 2,0 V @ I C = 75 A a Tj = 25 °C 

● Extrémne zvýšená lavínová schopnosť 

3 Aplikácie​ 

 Zváranie 

 UPS 

 Trojúrovňový invertor 

 AC a DC servozosilňovač

Typ	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Balíček
DGA75H120M2T	1200V	75A (Tj=100℃)	2,0 V (typ)	175 ℃	34 mm