75A 1200V Jembatan IGBT Modul IGBT DGA75H120M2T 34mm

75A 1200V Modul Jembatan Setengah

1 deskripsi 

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan dan kecepatan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 

2 fitur 

● Teknologi parit FS, koefisien suhu positif 

● Tegangan saturasi rendah: V CE (SAT) , TYP = 2.0V @ I C = 75A dan T J = 25 ° C 

● Kemampuan longsoran yang sangat ditingkatkan 

3 a pplic asi 

 Pengelasan 

 UPS 

 Inverter tiga leve 

 Amplifier Drive Servo AC dan DC