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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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75A 1200V 하프 브리지 IGBT 모듈 DGA75H120M2T 34mm

이 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 고급 트렌치 및 필드 스톱 기술 설계를 사용하여 우수한 VCESAT 및 스위칭 속도, 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다.
가용성 :
수량 :
묻다 바스켓에 추가하십시오

  • DGA75H120M2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA75H120M2T.PDF

  • 1200V

  • 75a

75A 1200V 하프 브리지 모듈

1 설명 

이 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 고급 트렌치 및 필드 스톱 기술 설계를 사용하여 우수한 v Cesat 및 스위칭 속도, 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다. 

2 가지 기능 

● FS 트렌치 기술, 양의 온도 계수 

● 낮은 포화 전압 : V CE (SAT) , TYP = 2.0V @ I C = 75A 및 T J = 25 ° C 

● 매우 향상된 눈사태 기능 

3 pplications​ 

용접 

UPS 

3 왼쪽 인버터 

AC 및 DC 서보 드라이브 앰프


유형 VCE IC vcesat, tj = 25 ℃ tjop 패키지
DGA75H120M2T 1200V 75A (TJ = 100 ℃) 2.0V (유형) 175 ℃ 34mm


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