Module IGBT demi-pont 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm

75A 1200V Module demi-pont

1 Descriptif 

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et de Fieldstop, offrant un excellent V CEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif 

● Faible tension de saturation : V CE(sat) , typ = 2,0 V @ I C =75A et T j = 25°C 

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée 

3 Applications​ 

 Soudage 

 UPS 

 Inverseur à trois niveaux 

 Amplificateur de servomoteur AC et DC

Taper	VCE	IC	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Emballer
DGA75H120M2T	1200V	75A (Tj=100℃)	2,0 V (type)	175 ℃	34MM