75A 1200V Half Bridge IGBT Modul DGA75H120M2T 34mm

1200V 75A 1200V Modul Jambatan Half

1 Penerangan 

Transistor bipolar gerbang terlindung ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan lapangan yang maju, dengan syarat kelajuan v cesat dan kelajuan beralih, caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS. 

2 ciri 

● Teknologi parit FS, pekali suhu positif 

● Voltan ketepuan rendah: V CE (SAT) , TYP = 2.0V @ I C = 75A dan T J = 25 ° C 

● Keupayaan Avalanche yang sangat dipertingkatkan 

3 PPLICATION  

 Kimpalan 

 UPS 

 Inverter tiga-leve 

 AC dan DC Servo Drive Amplifier