75A 1200V Setengah jambatan modul IGBT DGA75H120M2T 34mm

75A 1200V Modul separuh jambatan

1 Penerangan 

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan V CEsat dan kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu yang rendah. Yang sesuai dengan piawaian RoHS. 

2 Ciri 

● Teknologi Parit FS, Pekali suhu positif 

● Voltan tepu rendah: V CE(sat) , jenis = 2.0V @ I C =75A dan T j = 25°C 

● Keupayaan runtuhan salji yang sangat dipertingkatkan 

3 A aplikasiasi  

 Kimpalan 

 UPS 

 Penyongsang tiga aras 

 Penguat pemacu servo AC dan DC

taip	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pakej
DGA75H120M2T	1200V	75A (Tj=100℃)	2.0V (Jenis)	175 ℃	34MM