Μονάδα 75A 1200V Halfridge IGBT DGA75H120M2T 34mm

75A 1200V Μονάδα μισής γέφυρας

1 Περιγραφή 

Αυτό το διπολικό τρανζίστορ Insulated Gate χρησιμοποιούσε προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας τάφρου και Fieldstop, παρείχε εξαιρετική ταχύτητα V CEsat και μεταγωγή, χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά 

● Τεχνολογία FS Trench, Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας 

● Χαμηλή τάση κορεσμού: V CE(sat) , typ = 2,0V @ I C =75A και T j = 25°C 

● Εξαιρετικά βελτιωμένη ικανότητα χιονοστιβάδας 

3 Εφαρμογές​ 

 Συγκόλληση 

 UPS 

 Μετατροπέας τριών επιπέδων 

 Ενισχυτής σερβοκινητήρα AC και DC

Τύπος	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Πακέτο
DGA75H120M2T	1200V	75A (Tj=100℃)	2,0 V (Τύπος)	175℃	34mm