-140A -60V MOSFET de potencia en modo de mejora del canal P
1 Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Cambio rápido
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de energía
● Sistema de gestión de inversores.
● herramientas eléctricas
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| -60V |
5,8 mΩ |
-140A |