MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DSE026N10NA TO-263

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 100 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia de modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo

● Alta corriente de avalancha 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS ● Calificación AEC-Q101 

3 aplicaciones 

● Rectificación síncrona en SMPS

● Conmutación dura y circuito de alta velocidad 

● Herramientas eléctricas ● UPS 

● Control de motores

Vces	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	2,2 mΩ	180A