180A 100V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET
1 Kirjeldus
Need N-kanaliga laiendusrežiimi võimsusega mosfetid kasutasid täiustatud split-gate kraavitehnoloogia disaini, pakkudes suurepärast Rdsoni ja madalat värava laengut. Mis vastab RoHS standardile.
2 Omadused
● Kiire ümberlülitamine
● Madal takistus
● Värava madal laeng
● Suur laviinivool
● Madal pöördülekande mahtuvus
● 100% ühe impulsi laviini energia test
● 100% ΔVDS test ● AEC-Q101 kvalifitseeritud
3 Rakendused
● Sünkroonalaldus SMPS-is
● Tugev lülitus ja kiire vooluahel
● Elektritööriistad ● UPS
● Mootori juhtimine
| Vces |
RDS (sees) (TYP) |
ID |
| 100V |
2,2 mΩ |
180A |