pintu gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah »» Produk » MOSFET » 12V-300V N MOS » 180A 100V N-Channel Mode Mode Power MOSFET DSE026N10NA TO-263

Memuatkan

Kongsi ke:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian garis
butang perkongsian WeChat
butang perkongsian LinkedIn
butang perkongsian Pinterest
butang perkongsian WhatsApp
butang perkongsian sharethis

180A 100V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET DSE026N10NA TO-263

180A 100V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET
Ketersediaan:
Kuantiti:

180A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Penerangan 

MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Saluran ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.


2 ciri 

● Pertukaran cepat 

● Rendah terhadap rintangan 

● Caj pintu rendah rendah

● Semasa Avalanche Tinggi 

● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%

● Ujian 100% ΔVD ● AEC-Q101 Berkelayakan 


3 aplikasi 

● Pembetulan segerak dalam SMP

● Beralih keras dan litar berkelajuan tinggi 

● Alat kuasa ● UPS 

● Kawalan motor


Vces Rds (on) (typ) Id
100V 2.2mΩ 180a


Sebelumnya: 
Seterusnya: 
  • Daftar untuk surat berita kami
  • Bersedia untuk
    mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda