Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
DSE026N10NA
WXDH
TO-263
100V
180a
180A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Saluran ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Semasa Avalanche Tinggi
● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% ΔVD ● AEC-Q101 Berkelayakan
3 aplikasi
● Pembetulan segerak dalam SMP
● Beralih keras dan litar berkelajuan tinggi
● Alat kuasa ● UPS
● Kawalan motor
Vces | Rds (on) (typ) | Id |
100V | 2.2mΩ | 180a |
180A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Saluran ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Semasa Avalanche Tinggi
● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% ΔVD ● AEC-Q101 Berkelayakan
3 aplikasi
● Pembetulan segerak dalam SMP
● Beralih keras dan litar berkelajuan tinggi
● Alat kuasa ● UPS
● Kawalan motor
Vces | Rds (on) (typ) | Id |
100V | 2.2mΩ | 180a |