未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Tu ste: Doma » Izdelki » Mosfet » 12V-300V N MO » 180a 100V način izboljšanja N-kanala Power MOSFET DSE026N10NA TO-263

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

180A 100V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET DSE026N10NA TO-263

180A 100V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

180a 100V način izboljšanja N-kanala Power MOSFET


1 opis 

Ta način izboljšanja N-kanala Power MOSFETS je uporabil napredno zasnovo tehnologije z zplitami vrat, zagotovil odličen RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS.


2 značilnosti 

● Hitro preklapljanje 

● nizko odpornost 

● Nizka naboj vrat

● Visok plazovi tok 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom

● 100% ΔVDS test ● AEC-Q101 Kvalificiran 


3 aplikacije 

● Sinhrona rektifikacija v SMPS

● Trdo preklop in vezje z visoko hitrostjo 

● Električna orodja ● UPS 

● Nadzor motorja


VCE RDS (ON) (Typ) Id
100V 2.2mΩ 180a


Prejšnji: 
Naslednji: 
180a 100V način izboljšanja N-kanala Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM