ความพร้อมใช้งาน: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
dse026n10na
wxdh
ถึง -263
100V
180a
180A 100V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFETS นี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●กระแสหิมะถล่มสูง
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS● AEC-Q101 ผ่านการรับรอง
3 แอปพลิเคชัน
●การแก้ไขแบบซิงโครนัสใน SMPS
●การสลับยากและวงจรความเร็วสูง
●เครื่องมือไฟฟ้า● UPS
●การควบคุมมอเตอร์
VCES | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
100V | 2.2mΩ | 180a |
180A 100V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFETS นี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●กระแสหิมะถล่มสูง
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS● AEC-Q101 ผ่านการรับรอง
3 แอปพลิเคชัน
●การแก้ไขแบบซิงโครนัสใน SMPS
●การสลับยากและวงจรความเร็วสูง
●เครื่องมือไฟฟ้า● UPS
●การควบคุมมอเตอร์
VCES | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
100V | 2.2mΩ | 180a |