7N80/F7N80/E7N80

7 A 800 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was mit der RoHS übereinstimmt

Standard. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● ESD-verbesserte Fähigkeit

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤1,8Ω)

● Niedrige Gate-Ladung (typisch: 33,9 nC)

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 11,2 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

 Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.

 Stromschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
800V	1,5 Ω	7A