7N80/F7N80/E7N80

7A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບ RoHS

ມາດຕະຖານ. 

2 ຄຸນສົມບັດ

● ສະຫຼັບໄວ

● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤1.8Ω)

● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 33.9nC)

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປະເພດ: 11.2pF)

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

 ນໍາໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບການ miniaturization ຂອງລະບົບແລະປະສິດທິພາບສູງຂຶ້ນ.

 ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກແລະອະແດບເຕີ.

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
800V	1.5Ω	7A