7N80/F7N80/E7N80

7A 800V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS

standard. 

2 funktioner

● Snabb växling

● ESD förbättrad kapacitet

● Lågt motstånd (Rdson≤1,8Ω)

● Låg grindladdning (typ: 33,9 nC)

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 11,2pF)

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test

3 Applikationer

 Används i olika strömbrytarkretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet.

 Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter.

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
800V	1,5 Ω	7A