கிடைக்கும்: | |
---|---|
அளவு: | |
7A 800V N-CHANNEL மேம்பாட்டு பயன்முறை சக்தி MOSFET
1 விளக்கம்
இந்த n- சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட VDMOSFET கள், சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகின்றன, இது கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கிறது, மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்துகிறது. இது ROHS உடன் ஒத்துப்போகிறது
தரநிலை.
2 அம்சங்கள்
● வேகமாக மாறுதல்
ES ESD மேம்படுத்தப்பட்ட திறன்
Ristivire எதிர்ப்பில் குறைவாக (rdson≤1.8Ω)
K குறைந்த கேட் கட்டணம் (Typ: 33.9nc)
Rever குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (TYP: 11.2pf)
● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை
● 100% ΔVDS சோதனை
3 பயன்பாடுகள்
Min கணினி மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனுக்காக பல்வேறு சக்தி மாறுதல் சுற்றுவட்டத்தில் பயன்படுத்தப்படுகிறது.
Lext எலக்ட்ரான் நிலைப்படுத்தல் மற்றும் அடாப்டரின் பவர் சுவிட்ச் சுற்று.
Vdss | Rds (on) (type) | ஐடி |
800 வி | 1.5Ω | 7 அ |
7A 800V N-CHANNEL மேம்பாட்டு பயன்முறை சக்தி MOSFET
1 விளக்கம்
இந்த n- சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட VDMOSFET கள், சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகின்றன, இது கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கிறது, மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்துகிறது. இது ROHS உடன் ஒத்துப்போகிறது
தரநிலை.
2 அம்சங்கள்
● வேகமாக மாறுதல்
ES ESD மேம்படுத்தப்பட்ட திறன்
Ristivire எதிர்ப்பில் குறைவாக (rdson≤1.8Ω)
K குறைந்த கேட் கட்டணம் (Typ: 33.9nc)
Rever குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (TYP: 11.2pf)
● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை
● 100% ΔVDS சோதனை
3 பயன்பாடுகள்
Min கணினி மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனுக்காக பல்வேறு சக்தி மாறுதல் சுற்றுவட்டத்தில் பயன்படுத்தப்படுகிறது.
Lext எலக்ட்ரான் நிலைப்படுத்தல் மற்றும் அடாப்டரின் பவர் சுவிட்ச் சுற்று.
Vdss | Rds (on) (type) | ஐடி |
800 வி | 1.5Ω | 7 அ |