Razpoložljivost: | |
---|---|
Količina: | |
7A 800V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki se v skladu z ROHS
standardno.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤1,8Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 33,9NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 11.2pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | RDS (ON) (Typ) | Id |
800V | 1.5Ω | 7A |
7A 800V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki se v skladu z ROHS
standardno.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤1,8Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 33,9NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 11.2pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | RDS (ON) (Typ) | Id |
800V | 1.5Ω | 7A |