7A 800V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel az RoHS-nek
standard.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony ellenállás (Rdson≤1,8Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 33,9 nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 11,2 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
| VDSS |
RDS(be)(TYP) |
ID |
| 800V |
1,5Ω |
7A |