kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 7N80/F7N80/E7N80

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

7N80/F7N80/E7N80

7A 800V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
Elérhetőség:
Mennyiség:

7A 800V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET

1 Leírás

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel az RoHS-nek

standard. 

2 Jellemzők

● Gyors váltás

● Továbbfejlesztett ESD képesség

● Alacsony ellenállás (Rdson≤1,8Ω)

● Alacsony kaputöltés (Típus: 33,9 nC)

● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 11,2 pF)

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt

3 Alkalmazások

 Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.

 Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.


VDSS RDS(be)(TYP) ID
800V 1,5Ω 7A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket