Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
7a 800V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely összhangban áll a Rohs -szal
standard.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤1,8Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 33.9NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 11.2pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
A rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra történő különféle teljesítménykapcsoló áramkörben használják.
Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
800 V -os | 1,5Ω | 7A |
7a 800V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely összhangban áll a Rohs -szal
standard.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤1,8Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 33.9NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 11.2pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
A rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra történő különféle teljesítménykapcsoló áramkörben használják.
Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
800 V -os | 1,5Ω | 7A |