puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Estás aquí: Hogar » Productos » Mosfet »» 400V-1500V N MOS » 7n80/f7n80/e7n80

cargando

Compartir a:
botón de intercambio de Facebook
botón de intercambio de Twitter
botón de intercambio de línea
botón de intercambio de WeChat
botón de intercambio de LinkedIn
botón de intercambio de Pinterest
Botón de intercambio de whatsapp
botón compartido de compartir Sharethis

7N80/F7N80/E7N80

7A 800V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET :
Disponibilidad
Cantidad:

7A 800V MODANCO DE MEDIA DE MEDIA DEL CANAL

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el rohs

estándar. 

2 características

● Cambio rápido

● ESD mejoró la capacidad

● Baja de resistencia (rdson≤1.8Ω)

● Baja carga de puerta (típ: 33.9nc)

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 11.2pf)

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS

3 aplicaciones

 Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia.

 Circuito de interruptor de encendido de bolas de electrones y adaptador.


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
800V 1.5Ω 7A


Anterior: 
Próximo: 
  • Regístrese para nuestro boletín
  • Prepárese para el futuro
    Regístrese para nuestro boletín para obtener actualizaciones directamente a su bandeja de entrada