7N80/F7N80/E7N80

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 7A y 800 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Que cumple con RoHS

estándar. 

2 características

● Cambio rápido

● Capacidad mejorada de ESD

● Baja resistencia (Rdson≤1.8Ω)

● Carga de puerta baja (tipo: 33,9 nC)

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 11,2 pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

 Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.

 Circuito del interruptor de encendido del balastro electrónico y adaptador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
800V	1,5Ω	7A