Dostupnost: | |
---|---|
Količina: | |
7A 800V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet
1 Opis
Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže s ROHS -om
standard.
2 značajke
● Brzo prebacivanje
● ESD poboljšala sposobnost
● Nizak otpor (Rdson≤1.8Ω)
● Naboj s malim vratima (Typ: 33,9NC)
● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 11.2pf)
● 100% pojedinačni test energetike pulsa
● 100% ΔVDS test
3 prijave
Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.
Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera.
VDSS | RDS (ON) (TIP) | Osobna iskaznica |
800V | 1,5Ω | 7a |
7A 800V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet
1 Opis
Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže s ROHS -om
standard.
2 značajke
● Brzo prebacivanje
● ESD poboljšala sposobnost
● Nizak otpor (Rdson≤1.8Ω)
● Naboj s malim vratima (Typ: 33,9NC)
● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 11.2pf)
● 100% pojedinačni test energetike pulsa
● 100% ΔVDS test
3 prijave
Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.
Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera.
VDSS | RDS (ON) (TIP) | Osobna iskaznica |
800V | 1,5Ω | 7a |