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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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70a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 bis-247

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendet fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Entechnik, um hervorragende RDS (ON) mit niedriger Verfügbarkeit von Gate-Ladung zu bieten:
Menge:
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70A 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendet fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Entechnik, um hervorragende RDS (ON) mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC). 

● STWANTEDED MODE NETZUNGEN (SMPS). 

● Unterbrechungsfreies Stromversorgung (UPS). 

● TV -Power & LED -Beleuchtungskraft 

● Wechselstrom zu DC -Konvertern 

● Telekommunikation


VDSS  RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
650 V 63 mΩ 70a



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