Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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70 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DJC070N65M2 TO-247

Dieser N-Kanal-verstärkte VDMAsfets nutzt fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um hervorragende Rds(on) mit niedriger Gate-Ladung zu bieten.
Verfügbarkeit:
Menge:
  • DJC070N65M2

  • WXDH

70 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMAsfets nutzen fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um hervorragende Rds(on) bei niedriger Gate-Ladung zu bieten.Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC). 

● Schaltnetzteile (SMPS). 

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV). 

● TV-Stromversorgung und LED-Beleuchtungsleistung 

● AC-DC-Wandler 

● Telekommunikation


VDSS  RDS(ein)(TYP) AUSWEIS 
650V 63 mΩ 70A



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