Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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160 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS044N12 TO-220C

Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
Verfügbarkeit:
Menge:
  • DHS044N12

  • WXDH

160 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung in SMPS 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Batteriemanagement 

● USV 

● Elektrowerkzeuge


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
120V 3,7 mΩ 160A


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