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DHS044N12
Wxdh
120 V
160a
160A 120V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Das N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten das Design des fortschrittlichen Splite Gate-Gattentechnologie-Designs und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● schnelles Umschalten
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Synchrone Korrektur in SMPs
● Motorsteuerung und Antrieb
● Batteriemanagement
● ups
● Elektrowerkzeuge
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
120 V | 3,7 mΩ | 160a |
160A 120V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Das N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten das Design des fortschrittlichen Splite Gate-Gattentechnologie-Designs und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● schnelles Umschalten
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Synchrone Korrektur in SMPs
● Motorsteuerung und Antrieb
● Batteriemanagement
● ups
● Elektrowerkzeuge
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
120 V | 3,7 mΩ | 160a |