未命名（1）（8）（1）
ゲート
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.、Ltd
あなたはここにいます： 家 » 製品 » モスフェット » 12V-300V N MOS » 160a 120V n-チャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS044N12 TO-220C

読み込み

共有：
Facebook共有ボタン
Twitter共有ボタン
ライン共有ボタン
WeChat共有ボタン
LinkedIn共有ボタン
Pinterest共有ボタン
WhatsApp共有ボタン
Sharethis共有ボタン

160A 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12 TO-220C

Nチャネルエンハンスメントモードの電源MOSFETは、高度なスプライトゲートトレンチテクノロジーの設計を使用し、優れたRDSONと低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。
可用性：
数量：
お問い合わせください バスケットに追加します

  • DHS044N12

  • WXDH

  • TO-220C

  • デバイスDHS044N12仕様

  • 120V

  • 160a

160A 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1説明 

Nチャネルエンハンスメントモードの電源MOSFETは、高度なスプライトゲートトレンチテクノロジーの設計を使用し、優れたRDSONと低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。 


2つの機能 

●抵抗が少ない 

●低ゲートチャージ 

●高速スイッチング 

●低い逆転送容量

●100％単一パルス雪崩エネルギーテスト

●100％ΔVDSテスト 


3つのアプリケーション 

●SMPSの同期整流 

●モーター制御とドライブ

●バッテリー管理 

●UPS 

●電動工具


VDSS rds（on）（typ） id
120V 3.7mΩ 160a


前の： 
次： 
モスフェット
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co.、Ltd
  • ニュースレターにサインアップしてください
  • 私たちのニュースレターにサインアップして、最新
    情報を受信トレイに直接入手する準備をしてください
    提出する
Copyright© 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co.、Ltd Technology by leadong.com