江蘇東海半導体有限公司
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160A 120V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS044N12 TO-220C

N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET は、高度なスプリット ゲート トレンチ技術設計を使用しており、優れた Rdson と低いゲート電荷を実現しました。RoHS規格に準拠しています。
在庫状況:
数量:
  • DHS044N12

  • WXDH

160A 120V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET


1 説明 

N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET は、高度なスプリット ゲート トレンチ技術設計を使用しており、優れた Rdson と低いゲート電荷を実現しました。RoHS規格に準拠しています。 


2 特徴 

●低オン抵抗 

● ゲートチャージが低い 

●高速スイッチング 

● 低い逆伝達容量

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験

● 100% ΔVDS テスト 


3 アプリケーション 

● SMPS の同期整流 

●モーターの制御と駆動

● バッテリー管理 

●UPS 

●電動工具


VDSS RDS(オン)(TYP) ID
120V 3.7mΩ 160A


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