Elérhetőség: | |
---|---|
mennyiség: | |
DHS044N12
WXDH
220c
120 V -os
160a
160A 120V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Az N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET-ek Advanced Splite Gate Trench Technology Design-t használtak, kiváló RDSON-t és alacsony kapu töltést biztosítanak. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Alacsony az ellenállás
● Alacsony kapu töltés
● Gyors váltás
● Alacsony fordított transzfer kapacitás
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Szinkron helyesbítés az SMP -kben
● Motorvezérlés és meghajtó
● akkumulátorkezelés
● UPS
● Teljesítményeszközök
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
120 V -os | 3,7MΩ | 160a |
160A 120V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Az N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET-ek Advanced Splite Gate Trench Technology Design-t használtak, kiváló RDSON-t és alacsony kapu töltést biztosítanak. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Alacsony az ellenállás
● Alacsony kapu töltés
● Gyors váltás
● Alacsony fordított transzfer kapacitás
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Szinkron helyesbítés az SMP -kben
● Motorvezérlés és meghajtó
● akkumulátorkezelés
● UPS
● Teljesítményeszközök
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
120 V -os | 3,7MΩ | 160a |