brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 16a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F16N60 TO-220F

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

16A 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F16N60 TO-220F

16A 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:
  • F16N60

  • Wxdh

16A 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET


1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. TO-220F poskytuje izolační napětí hodnocené při 2000 V RMS od všech tří terminálů po externí chladič. Série TO-220F v souladu s normami UL (soubor Ref: E252906). 


2 funkce 

● Rychlé přepínání

● ESD vylepšená schopnost 

● Nízký odpor (RDSON ≤ 0,5 Ω)

● Nízký nabití brány (typ: 49,3 NC) 

● nízký reverzní přenosový kapacita (typ: 10,5pf)

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace

● Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.

● Obvod napájecího spínače elektronového balastu a adaptéru

VDSS  Rds (on) (typ) Id 
600V 0,41Ω 16a



Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty