värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 16a 600V N-kanali suurendamise režiimi Power Mosfet F16N60 TO-220F

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

16a 600V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET F16N60 TO-220F

16A 600 V N-kanali parendamise režiimi võimsus MOSFET
saadavus:
kogus:
  • F16n60

  • Wxdh

16A 600 V N-kanali tugevdusrežiimi toitemootoriga MOSFET


1 kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandavad lülitus jõudlust ja suurendavad laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. TO-220F pakub isolatsioonipinget, mis on hinnatud 2000 V RMS-ist kõigist kolmest klemmist kuni välise jahutusradiaiseini. TO-220F-seeria vastab UL-i standarditele (faili viide: E252906). 


2 funktsiooni 

● Kiire vahetamine

● ESD täiustatud võimekus 

● Madal takistus (RDSON≤0,5Ω)

● Madal värava laadimine (tüüp: 49,3nc) 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 10,5PF)

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 


3 rakendust

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates.

● Elektronballasti ja adapteri toitelüliti vooluring

VDSS  RDS (ON) (TÜÜP) Isikutunnistus 
600 V 0,41Ω 16a



Eelmine: 
Järgmine: 
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti