Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
F16N60
WXDH
16A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS. TO-220F menyediakan voltan penebat yang dinilai pada 2000V RMS dari ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran. Siri TO-220F mematuhi piawaian UL (File Ref: E252906).
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Keupayaan ESD yang lebih baik
● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤0.5Ω)
● Caj Gate Rendah (typ: 49.3nc)
● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 10.5pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa balast dan penyesuai elektron
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
600V | 0.41Ω | 16a |
16A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS. TO-220F menyediakan voltan penebat yang dinilai pada 2000V RMS dari ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran. Siri TO-220F mematuhi piawaian UL (File Ref: E252906).
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Keupayaan ESD yang lebih baik
● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤0.5Ω)
● Caj Gate Rendah (typ: 49.3nc)
● Kapasit pemindahan terbalik rendah (typ: 10.5pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa balast dan penyesuai elektron
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
600V | 0.41Ω | 16a |