التوفر: | |
---|---|
الكمية: | |
F16N60
WXDH
16A 600V N-channel Mode Mode MOSFET MOSFET
1 الوصف
يتم الحصول على هذه القناة N المعززة VDMOSFETs ، من خلال تقنية مستوية محاذاة ذاتيا والتي تقلل من فقدان التوصيل ، وتحسين أداء التبديل وتعزيز طاقة الانهيار. الذي يتوافق مع معيار ROHS. يوفر TO-220F جهد العزل الذي تم تصنيفه على RMS 2000V من جميع المحطات الثلاثة إلى غرفة التبريد الخارجية. TO-220F سلسلة الامتثال لمعايير UL (ملف المرجع: E252906).
2 ميزات
● التبديل السريع
● ESD تحسين القدرة
● منخفضة على المقاومة (RDSON≤0.5Ω)
● شحنة بوابة منخفضة (TYP: 49.3NC)
● السعة المنخفضة النقل العكسي (TYP: 10.5pf)
● 100 ٪ اختبار طاقة النبض المنفرد
● اختبار 100 ٪ ΔVDS
3 تطبيقات
● تستخدم في دائرة تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام والكفاءة العالية.
● دائرة مفتاح الطاقة من صابورة الإلكترون والمحول
VDSS | RDS (ON) (TYP) | بطاقة تعريف |
600 فولت | 0.41Ω | 16 أ |
16A 600V N-channel Mode Mode MOSFET MOSFET
1 الوصف
يتم الحصول على هذه القناة N المعززة VDMOSFETs ، من خلال تقنية مستوية محاذاة ذاتيا والتي تقلل من فقدان التوصيل ، وتحسين أداء التبديل وتعزيز طاقة الانهيار. الذي يتوافق مع معيار ROHS. يوفر TO-220F جهد العزل الذي تم تصنيفه على RMS 2000V من جميع المحطات الثلاثة إلى غرفة التبريد الخارجية. TO-220F سلسلة الامتثال لمعايير UL (ملف المرجع: E252906).
2 ميزات
● التبديل السريع
● ESD تحسين القدرة
● منخفضة على المقاومة (RDSON≤0.5Ω)
● شحنة بوابة منخفضة (TYP: 49.3NC)
● السعة المنخفضة النقل العكسي (TYP: 10.5pf)
● 100 ٪ اختبار طاقة النبض المنفرد
● اختبار 100 ٪ ΔVDS
3 تطبيقات
● تستخدم في دائرة تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام والكفاءة العالية.
● دائرة مفتاح الطاقة من صابورة الإلكترون والمحول
VDSS | RDS (ON) (TYP) | بطاقة تعريف |
600 فولت | 0.41Ω | 16 أ |