MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 70A y 82V
1 Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Alta corriente de avalancha
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de energía
● Convertidores CC-CC
● Fuente de alimentación del SAI
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 82V |
9,5 mΩ |
70A |