Diodo de barrera Schottky de SiC de 30A 650V DCE30D65G4 TO-263

Diodo de barrera Schottky ds que los hacen preferibles en diversas aplicaciones. Este artículo profundiza en las razones por las que los ingenieros y diseñadores optan por los MOSFET en lugar de los transistores convencionales, explorando su eficiencia operativa, sus beneficios estructurales y los avances tecnológicos que aportan a los sistemas electrónicos.

1 Descripción 

La familia de productos de la serie SiC ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 

2 características 

⚫ alto voltaje 

⚫ Corriente de recuperación inversa cero 

⚫ Voltaje de recuperación directa cero

⚫ Coeficiente de temperatura positivo en VF

⚫ Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C 

3 aplicaciones 

⚫ Fuentes de alimentación de modo conmutado 

⚫ Corrección del factor de potencia 

⚫ Accionamiento por motor, inversor fotovoltaico, central eólica

VBM	control de calidad	SI（TC≤135℃）
650V	68 nC	38A