未命名(1)(8) (1)
ゲート
江蘇東海半導体有限公司
現在地: 家 » 製品 » SIC » 650V-1700V SICダイオード » 30A 650V SiC ショットキー バリア ダイオード DCE30D65G4 TO-263

読み込み中

共有先:
フェイスブックの共有ボタン
ツイッター共有ボタン
ライン共有ボタン
wechat共有ボタン
リンクされた共有ボタン
Pinterestの共有ボタン
WhatsApp共有ボタン
この共有ボタンを共有します

30A 650V SiC ショットキーバリアダイオード DCE30D65G4 TO-263

SiC シリーズ製品ファミリーは、最先端のパフォーマンスを提供します。高効率と高信頼性が要求される高周波アプリケーション向けに設計されています。
在庫状況:
数量:
お問い合わせ f2843bacf2b642a0=240A 85V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS020N88U TOLLパッケージ

30A 650V SiC ショットキーバリアダイオード


1 説明 

SiC シリーズ製品ファミリーは、最先端のパフォーマンスを提供します。高効率と高信頼性が要求される高周波アプリケーション向けに設計されています。 


2 特徴 

⚫高電圧 

⚫ 逆回復電流ゼロ 

⚫ ゼロ順方向回復電圧

⚫ VF の正の温度係数

⚫ 動作ジャンクション温度 175°C 


3 アプリケーション 

⚫ スイッチングモード電源 

⚫ 力率改善 

⚫ モータードライブ、パワーコンディショナー、風力発電所


VBRM 品質管理  IF（TC≦135℃）
650V 68nC 38A


前の： 
次： 
SiCダイオード
  • 江蘇東海半導体有限公司
  • ニュースレターに登録する
  • 今後の準備をしましょう。
    ニュースレターに登録すると、最新情報が直接受信箱に届きます。
    提出する
Copyright © 2023江蘇東海半導体有限公司 技術者による Leadong.com