未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » SIC » 650V-1700V SIC-DIODE » 30A 650V SiC Schottky-barrièrediode DCE30D65G4 TO-263

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

30A 650V SiC Schottky-barrièrediode DCE30D65G4 TO-263

De producten uit de SiC-serie bieden ultramoderne prestaties. Het is ontworpen voor hoogfrequente toepassingen waarbij een hoog rendement en hoge betrouwbaarheid vereist zijn.
Beschikbaarheid:
Aantal:
Informeer Voeg toe aan winkelwagen

30A 650V SiC Schottky-barrièrediode


1 Beschrijving 

De producten uit de SiC-serie bieden ultramoderne prestaties. Het is ontworpen voor hoogfrequente toepassingen waarbij een hoog rendement en hoge betrouwbaarheid vereist zijn. 


2 Kenmerken 

⚫ hoogspanning 

⚫ Nul-omgekeerde herstelstroom 

⚫ Zero Forward Recovery-spanning

⚫ Positieve temperatuurcoëfficiënt op VF

⚫ 175°C Bedrijfstemperatuur van het aansluitpunt 


3 toepassingen 

⚫ Schakelende voedingen 

⚫ Vermogensfactorcorrectie 

⚫ Motoraandrijving, PV-omvormer, windenergiecentrale


VBRM QC  ALS (TC≤135℃)
650V 68nC 38A


Vorig: 
Volgende: 
SiC-diode
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com