MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 10,6 A y 650 V
1 Descripción
Este vdmosfets mejorado de canal N utiliza tecnología y diseño avanzados de superunión para proporcionar Rds(on) excelentes con carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Corrección del factor de potencia (PFC).
● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
● Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS).
● Alimentación de TV y alimentación de iluminación LED
● Convertidores de CA a CC
● Telecomunicaciones
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 650V |
0,34 mΩ |
10.6A |