D7N60 TO-252B

7A 600 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused 

● Kiire ümberlülitamine

● ESD täiustatud võime 

● Madal takistus (Rdson≤1,25Ω) 

● Värava madal laetus (tüüp: 24nC) 

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 5,5 pF) 

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
600V	1 Ω	7A